مقاله حافظه های فلش

Paper flash memory

دانلود مقاله حافظه های فلش

حافظه های فلش
حافظه (‏DOM‏( ‏DiskOnModole‏
ماجول حافظه بر روی ‏IDE‏ در مدل های ۴۰ و ۴۴ پین با قاب و یا بدون قاب در ‏ظرفیت های مختلف تا ۵۱۲ مگابایت.‏

حافظه ‏EmbedDisk‏ —جدید!!!
ماجولهای حافظه ‏EmbedDisk‏ بر روی ‏IDE‏ و ‏SATA‏ در ظرفیتهای مختلف تا ۲ ‏گیگا بایت و با سرعت بالا

ماجول حافظه بر روی چیپ (‏DOC‏) محصول ‏M-Systems‏
حافظه های فلش ‏DOC‏ با ظرفیت های متفاوت از ۸ مگابایت تا ۲۵۶ مگابایت

انواع‎ ROM ‎
تولید تراشه های ‏ROM‏ مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب ‏تولید کنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را که ‏PROM )Programmable‏ ‏Read-Only Memory‏) نامیده می شوند ، تولید می کنند.این نوع از تراشه ها با ‏محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده ‏از دستگاههای خاصی که ‏Programmer‏ نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند. ‏ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ‏ROM‏ بوده با این تفاوت که در محل برخورد هر ‏سطر و ستون از یک فیوز( برای اتصال به یکدیگر) استفاده می گردد. یک شارژ که ‏از طریق یک ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یک سلول پاس داده شده و ‏بدین ترتیب به یک سطر ‏Grounded‏ که نماینگر مقدار “یک” است ، ارسال خواهد ‏شد. با توجه به اینکه تمام سلول ها دارای یک فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، ‏یک تراشه ‏PROM‏ دارای مقدار اولیه ” یک” است . بمنظور تغییر مقدار یک سلول به ‏صفر، از یک ‏Programmer‏ برای ارسال یک جریان خاص به سلول مورد نظر، ‏استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) ‏خواهد کرد. فرآیند فوق را ” ‏Burning the PROM‏ ” می گویند. حافظه های ‏PROM‏ صرفا” یک بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به ‏RAM‏ ‏شکننده تر بوده و یک جریان حاصل از الکتریسیته ساکن، می تواند باعث سوخته ‏شدن فیوز در تراشه شده و مقدار یک را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) ‏حافظه ای ‏PROM‏ دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یک ‏ROM‏ ، قبل از برنامه ریزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند. ‏

حافظه ‏EPROM‏ ‏
استفاده کاربردی از حافظه های ‏ROM‏ و ‏PROM‏ با توجه به نیاز به اعمال تغییرات ‏در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغییرات و اصلاحات در این نوع حافظه ها ‏می تواند به صرف هزینه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable ‎programmable read-only memory‏) پاسخی مناسب به نیاز های مطرح ‏شده است ( نیاز به اعمال تغییرات ) تراشه های ‏EPROM‏ را می توان چندین مرتبه ‏باز نویسی کرد. پاک نمودن محتویات یک تراشه ‏EPROM‏ مستلزم استفاده از ‏دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن یک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. ‏پیکربندی این نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از یک ‏Programmer‏ از نوع ‏EPROM‏ است که یک ولتاژ را در یک سطح خاص ارائه نمایند ( با توجه به نوع ‏EPROM‏ استفاده شده ) این نوع حافظه ها ، نیز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ‏ستون می باشند. در یک ‏EPROM‏ سلول موجود در نقطه برخورد سطر و ستون ‏دارای دو ترانزیستور است .ترانزیستورهای فوق توسط یک لایه نازک اکسید از ‏یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها ‏Floating Gate‏ و دیگری ‏Control ‎Gate‏ نامیده می شود. ‏Floating gate‏ صرفا” از طریق ‏Control gate‏ به سطر ‏مرتبط است. مادامیکه لینک برقرارباشد سلول دارای مقدار یک خواهد بود. بمنظور ‏تغییر مقدار فوق به صفر به فرآیندی با نام ‏Fowler-Nordheim tunneling‏ نیاز ‏خواهد بود .‏Tunneling‏ بمنظور تغییر محل الکترون های ‏Floating gate‏ استفاده ‏می گردد.یک شارژ الکتریکی بین ۱۰ تا ۱۳ ولت به ‏floating gate‏ داده می ‏شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به ‏floating gate‏ در ‏ground‏ تخلیه ‏خواهد گردید. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور ‏floating gate‏ مشابه یک ‏‏”پخش کننده الکترون ” رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت ‏دیگر لایه اکسید به دام افتاده و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های ‏شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین ‏control gate‏ و ‏floating gate‏ ‏رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام ‏Cell sensor‏ سطح شارژ پاس داده شده به ‏floating gate‏ را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از ۵۰ ‏درصد شارژ باشد در اینصورت مقدار “یک” را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس ‏داده شده از ۵۰ درصد آستانه عدول نموده مقدار به “صفر” تغییر پیدا خواهد ‏کرد.یک تراشه ‏EPROM‏ دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن ‏مقدار یک را دارا است. ‏
بمنظور باز نویسی یک ‏EPROM‏ می بایست در ابتدا محتویات آن پاک گردد. برای ‏پاک نمودن می بایست یک سطح از انرژی زیاد را بمنظور شکستن الکترون های منفی ‏Floating‏ ‏gate‏ استفاده کرد.در یک ‏EPROM‏ استاندارد ،عملیات فوق از طریق ‏اشعه ماوراء بنفش با فرکانس ۲۵۳/۷ انجام می گردد.فرآیند حذف در ‏EPROM‏ ‏انتخابی نبوده و تمام محتویات آن حذف خواهد شد. برای حذف یک ‏EPROM‏ می ‏بایست آن را از محلی که نصب شده است جدا کرده و به مدت چند دقیقه زیر اشعه ‏ماوراء بنفش دستگاه پاک کننده ‏EPROM‏ قرار داد. ‏


فرمت فایل دانلود فرمت فایل: WORD

تعداد صفحات تعداد صفحات: 28

پس از ثبت دکمه خرید و تکمیل فرم خرید به درگاه بانکی متصل خواهید شد که پس از پرداخت موفق بانکی و بازگشت به همین صفحه می توانید فایل مورد نظر خورد را دانلود کنید. در ضمن لینک فایل خریداری شده به ایمیل شما نیز ارسال خواهد شد. لینک دانلود فایل به مدت 48 ساعت فعال خواهد بود.


مطالب مرتبط